Сравнение

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	SSM3K333R,LF(T
Цена	0 ₽	0 ₽	50 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—
number of outputs	1	1	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—
выходной ток	50мА	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—
width	2.6mm	3.8mm	—
pin count	3+Tab	3	3
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—
output type	Fixed	Fixed	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—
polarity	Positive	Positive	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—
maximum output current	50mA	50mA	—
Вес и габариты	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—
packaging	—	—	Tape and Reel
product category	—	—	Power MOSFET
automotive	—	—	No
eu rohs	—	—	compliant
lead shape	—	—	Flat
maximum operating temperature (°c)	—	—	150
mounting	—	—	surface mount
part status	—	—	active
pcb changed	—	—	3
ppap	—	—	No
supplier package	—	—	SOT-23F
eccn (us)	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	2000
minimum operating temperature (°c)	—	—	-55
configuration	—	—	Single
process technology	—	—	U-MOS VII-H
number of elements per chip	—	—	1
channel type	—	—	N
material	—	—	Si
channel mode	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	6
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	28 10V
maximum drain source voltage (v)	—	—	30
maximum gate source leakage current (na)	—	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	—	±20
maximum gate threshold voltage (v)	—	—	2.5
maximum idss (ua)	—	—	1
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	3.4 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	436 15V
rds on - drain-source resistance	—	—	28mО© @ 5A,10V
transistor polarity	—	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	30V
vgs - gate-source voltage	—	—	2.5V @ 100uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	—	6A
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	—	1W