Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	RGT16NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 16 А, 1.65 В, 94 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
Цена	0 ₽	0 ₽	400 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	40 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	IGBTs
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	50
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	IGBT Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated	—	ROHM Semiconductor
упаковка / блок	SOT-23-3	—	TO-262-3
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	2
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
упаковка	—	—	Tube
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
supplier device package	—	—	TO-262
pd - рассеивание мощности	—	—	94 W
другие названия товара №	—	—	RGT16NS65D(TO-262)
base product number	—	—	RGT16 ->
input type	—	—	Standard
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	—	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	—	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	—	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	—	16 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	—	200 nA
current - collector (ic) (max)	—	—	16A
current - collector pulsed (icm)	—	—	24A
gate charge	—	—	21nC
igbt type	—	—	Trench Field Stop
power - max	—	—	94W
td (on/off) @ 25в°c	—	—	13ns/33ns
vce(on) (max) @ vge, ic	—	—	2.1V @ 15V, 8A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	—	650V
test condition	—	—	400V, 8A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	—	—	42ns