Сравнение

	APT50GN120L2DQ2G
Цена	4 510 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-264-3
длина	26.49 mm
pd - рассеивание мощности	543 W
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	134 A
ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
непрерывный коллекторный ток	134 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	134 A