Сравнение

	AP7383-44W5-7	IXYN50N170CV1
Цена	0 ₽	14 510 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	30
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Chassis Mount
operating temperature	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	SOT-227-4, miniBLOC
rohs status	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	SOT-227B
california prop 65	—	Warning Information
series	—	XPTв„ў ->
input type	—	Standard
вид монтажа:	—	SMD/SMT
максимальная рабочая температура:	—	+175 C
минимальная рабочая температура:	—	-55 C
подкатегория:	—	IGBTs
производитель:	—	ixys
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	—	10
тип продукта:	—	IGBT Transistors
торговая марка:	—	IXYS
упаковка:	—	Tube
упаковка / блок:	—	SOT-227B-4
pd - рассеивание мощности:	—	880 W
технология:	—	Si
конфигурация:	—	Single
current - collector (ic) (max)	—	120A
current - collector pulsed (icm)	—	485A
gate charge	—	260nC
power - max	—	880W
switching energy	—	8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	—	22ns/236ns
vce(on) (max) @ vge, ic	—	3.7V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)	—	1700V
test condition	—	850V, 50A, 1Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)	—	255ns
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:	—	1700 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:	—	20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	—	2.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:	—	120 A
ток утечки затвор-эмиттер:	—	100 nA