Сравнение

IGW50N60TFKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Цена 0 930
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 5.42
вид монтажа Through Hole
категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория IGBTs
размер фабричной упаковки 240
тип продукта IGBT Transistors
торговая марка Infineon Technologies
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия Trenchstop IGBT3
коммерческое обозначение TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности 333 W
другие названия товара № IGW50N60T SP000054926
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 90 A
ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль