Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 IXYA20N120C4HV
Цена 0 0 0 2 850
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 55 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs IGBTs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 50
тип продукта LDO Voltage Regulators IGBT Transistors
торговая марка Diodes Incorporated IXYS
упаковка / блок SOT-23-3 TO-263HV-3
серия AP7384 Trench - 650V - 1200V GenX40
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 2.5
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status ROHS3 Compliant
упаковка Tube
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
reach status REACH Unaffected
supplier device package TO-263HV
коммерческое обозначение XPT
series GenX4в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности 375 W
input type Standard
технология Si
конфигурация Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. 1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c 68 A
непрерывный ток коллектора ic, макс. 120 A
current - collector (ic) (max) 68A
current - collector pulsed (icm) 120A
gate charge 44nC
igbt type PT
power - max 375W
switching energy 4.4mJ (on), 1mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c 14ns/160ns
vce(on) (max) @ vge, ic 2.5V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max) 1200V
test condition 960mV, 20A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr) 53ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль