8 908 653 83 38
8 499 938 53 25

STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом ... купить

STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом ... купить от магазина Телеметрия
STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом ... купить от магазина Телеметрия
STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом ... купить от магазина Телеметрия
STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом ... купить от магазина Телеметрия
Бренд
ST Microelectronics
(0)
430 руб.
шт
STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом ...

The STW55NM60ND is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• The worldwide best RDS (ON) amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• High dV/dt and avalanche capabilities

Бренд
ST Microelectronics
Корпус
to247
Структура
n-канал

Наличие на складах


  58 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
  170 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
  130 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
  83.60 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
МЫ В СОЦСЕТЯХ

Почему Мы?

  • Выполнили свыше 200 000 заказов
  • Более 10 лет успешной работы
  • Более 90 000 покупателей
  • Контракты с производителями
  • Ориг. электронные компоненты
  • Круглосуточная поддержка
  •  Наложенный платеж
  •  Опт и розница