8 499 938 53 25
8 908 653 83 38

MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В ... купить

MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В ... купить от магазина Телеметрия
MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В ... купить от магазина Телеметрия
MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В ... купить от магазина Телеметрия
Бренд
ON SEMICONDUCTOR
(0)
270 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
MJ11012G, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В ...

The MJ11012G is a NPN bipolar power Darlington Transistor designed for use as output device in complementary general purpose amplifier applications.

• Complementary device
• Monolithic construction with built-in base emitter shunt resistors

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Бренд
ON SEMICONDUCTOR
Максимальная Рабочая Температура
200 C
Количество Выводов
2вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
60В
Стандарт Корпуса Транзистора
TO-204AA
Рассеиваемая Мощность
200Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
30а
DC Усиление Тока hFE
1000hFE

Наличие на складах


  139 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
  13 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
  104.50 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
  14.50 руб.
1-21 день: 1000 шт
шт
МЫ В СОЦСЕТЯХ

Почему Мы?

  • Выполнили свыше 200 000 заказов
  • Более 900 000 радиодеталей склад
  • Более 10 лет успешной работы
  • Более 90 000 покупателей
  • Контракты с производителями
  • Ориг. электронные компоненты
  • Круглосуточная поддержка
  • Наложенный платеж
  • Опт и розница