NHDTA123JTR, Bipolar Transistors - Pre-Biased NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NHDTA123JTR
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS 80V 100MA PNP
Дата загрузки | 12.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Информация о производителе | |
Производитель | Nexperia B.V. |
Бренд | Nexperia B.V. |
Основные | |
base product number | NHDTA123 -> |
continuous collector current | 100мА |
current - collector cutoff (max) | 100nA |
current - collector (ic) (max) | 100mA |
dc current gain hfe min | 100hFE |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 10mA, 5V |
другие названия товара № | 9,34661E+11 |
eccn | EAR99 |
frequency - transition | 150MHz |
htsus | 8541.21.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
количество выводов | 3 Вывода |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
конфигурация | Single |
корпус рч транзистора | TO-236AB |
квалификация | AEC-Q101 |
линейка продукции | NHDTA123JT Series |
максимальная рабочая частота | 150 MHz |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
минимальная рабочая температура | 55 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
напряжение коллектор-эмиттер | 80В |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
непрерывный коллекторный ток ic | 100мА |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
партномер | 8006363377 |
pd - рассеивание мощности | 250 mW |
пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
полярность цифрового транзистора | Одиночный PNP |
power dissipation | 250мВт |
power - max | 250mW |
размер фабричной упаковки | 3000 |
resistor - base (r1) | 2.2 kOhms |
resistor - emitter base (r2) | 47 kOhms |
резистор база-эмиттер r2 | 47кОм |
резистор на входе базы r1 | 2.2кОм |
series | Automotive, AEC-Q101 -> |
соотношение сопротивления, r1 / r2 | 0.04соотношение |
стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
стиль корпуса транзистора | TO-236AB |
supplier device package | TO-236AB |
типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
типичный коэффициент деления резистора | 21 |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
торговая марка | Nexperia |
transistor type | PNP - Pre-Biased |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
vce saturation (max) @ ib, ic | 100mV @ 500ВµA, 10mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
Время загрузки | 21:02:29 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26