Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	1.38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

330 ₽

– +

Бонус: 6.6 !

Бонусная программа

Итого: 330 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Основные
вес, г	1.38
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	STFU9N65M2
время нарастания	6.6 ns
время спада	18 ns
pd - рассеивание мощности	20 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	5 A
qg - заряд затвора	10 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	790 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	22.5 ns
типичное время задержки при включении	7.5 ns

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

STFU9N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 5 А, 0.79 Ом, TO-220FP, Through Hole