STB42N65M5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
N-канальный MDmesh V Power MOSFETSTMicroelectronics 550 и 650 В серии MDmesh M5 мощных полевых МОП-транзисторов с суперпереходом обеспечивают выдающиеся значения R DS(on) для значительного снижения потерь в линейном напряжении PFC схемы и блоки питания. Это, в свою очередь, позволяет новым поколениям электронных продуктов обеспечивать большую экономию энергии, превосходную удельную мощность и более компактные приложения. Эта новая технология поможет разработчикам продукции решать возникающие проблемы,...
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
1 160
+
Бонус: 23.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный MDmesh V Power MOSFETSTMicroelectronics 550 и 650 В серии MDmesh M5 мощных полевых МОП-транзисторов с суперпереходом обеспечивают выдающиеся значения R DS(on) для значительного снижения потерь в линейном напряжении PFC схемы и блоки питания. Это, в свою очередь, позволяет новым поколениям электронных продуктов обеспечивать большую экономию энергии, превосходную удельную мощность и более компактные приложения. Эта новая технология поможет разработчикам продукции решать возникающие проблемы, такие как высокая эффективность целей новых директив по экологическому дизайну, а также принесет пользу сектору возобновляемых источников энергии за счет экономии жизненно важных ватт, обычно теряемых в модулях управления питанием.
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:Mdmesh M5
subcategory:MOSFETs
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
package/case:TO-263-3
tradename:MDmesh
pd - power dissipation:190 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:33 A
qg - gate charge:98 nC
rds on - drain-source resistance:79 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:650 V
vgs - gate-source voltage:-25 V, +25 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3 V
typical turn-off delay time:65 ns
typical turn-on delay time:61 ns
fall time:13 ns
rise time:24 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль