SI7846DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SI7846DP-T1-E3
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveYes
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveYes
eu rohsCompliant
lead shapeNo Lead
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed8
supplier packagePowerPAK SO
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)1900
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle Quad Drain Triple Source
hts8541.29.00.95
package height1.07(Max)
package length4.9
package width5.89
process technologyTrenchFET
Вес и габариты
number of elements per chip1
channel typeN
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)4
maximum drain source resistance (mohm)50@10V
maximum drain source voltage (v)150
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)10
typical gate charge @ 10v (nc)30
typical gate charge @ vgs (nc)30@10V
typical rise time (ns)7
typical turn-off delay time (ns)22
typical turn-on delay time (ns)12
militaryNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль