SI7308DN-T1-E3, Силовой МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 60 В, 6 А, 0.046 Ом, PowerPAK 1212,
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SI7308DN-T1-E3
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Основные
вес, г
0.217
factory pack quantity: factory pack quantity:
3000
manufacturer:
Vishay
maximum operating temperature:
+150 C
minimum operating temperature:
-55 C
mounting style:
SMD/SMT
product category:
MOSFET
product type:
MOSFET
series:
SI7
subcategory:
MOSFETs
packaging:
Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:
SI7308DN-E3
Вес и габариты
package/case:
PowerPAK-1212-8
tradename:
TrenchFET
pd - power dissipation:
19.8 W
number of channels:
1 Channel
technology:
Si
configuration:
Single
channel mode:
Enhancement
id - continuous drain current:
6 A
qg - gate charge:
20 nC
rds on - drain-source resistance:
58 mOhms
transistor polarity:
N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:
60 V
vgs - gate-source voltage:
-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:
1 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26