SI3443CDV-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
Основные
вес, г0.02
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковка / блокTSOP-6
серияSI3
длина3.05 mm
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности3.2 W
другие названия товара №SI3443CDV-GE3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5.97 A
qg - заряд затвора12.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток100 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораP-Channel
rds on - drain-source resistance60mО© @ 4.7A,4.5V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage20V
vgs - gate-source voltage1.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c5.97A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)3.2W(Tc)
Высота 1.1 мм
Ширина1.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль