RCJ200N20TL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10V DRIVE N-Ch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RCJ200N20
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10V DRIVE N-Ch МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №RCJ200N20
id - непрерывный ток утечки20 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности106 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора40 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
серияRCJ200N20
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
вес, г2
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль