NTMFS5H419NLT1G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 155 А, 0.0017 Ом, DFN, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTMFS5H419NLT1G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0017Ом
количество выводов5вывод(-ов)
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0017Ом
количество выводов5вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds40В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока155А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation89Вт
рассеиваемая мощность89Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0017Ом
стиль корпуса транзистораDFN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.7
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль