Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, канал 2 N (фазовая ветвь) 1200 В (1,2 кВ) 495A (Tc) 2,031 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6C

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	MSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	495A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)

Все характеристики

158 700 ₽

– +

Бонус: 3174 !

Бонусная программа

Итого: 158 700 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
base product number	MSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	495A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)
eccn	EAR99
fet feature	Silicon Carbide (SiC)
fet type	2 N Channel (Phase Leg)
gate charge (qg) (max) @ vgs	1392nC @ 20V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	18.1pF @ 1000V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	Module
power - max	2.031kW (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	5.2mOhm @ 240A, 20V
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	SP6C
vgs(th) (max) @ id	2.8V @ 6mA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

MSCSM120AM042CT6AG