IXTA08N120P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 0.8 Amps 1200V 25 Rds
Вес и габариты
длина9.65 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки800 mA
1 080
+
Бонус: 21.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 0.8 Amps 1200V 25 Rds
Вес и габариты
длина9.65 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки800 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolar
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.0.38 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности50 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора14 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток20.5 Ohms
серияIXTA08N120
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения55 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolar Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
вес, г2.3
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания26 ns
время спада24 ns
Ширина10.41 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль