IXFN420N10T, N-Channel MOSFET, 420 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN420N10T
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IXFN420N10T
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ GigaMOS ™
Основные
Производитель
IXYS
Вес и габариты
число контактов
4
длина
38.23мм
Высота
9.6 мм
категория
Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис
1
максимальная рабочая температура
+175 °C
максимальное напряжение сток-исток
100 В
максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности
1,07 кВт
максимальное сопротивление сток-исток
2.3 mΩ
максимальный непрерывный ток стока
420 A
maximum gate threshold voltage
5
минимальная рабочая температура
-55 °C
minimum gate threshold voltage
2.5V
номер канала
Поднятие
прямая активная межэлектродная проводимость
185s
прямое напряжение диода
1.2V
размеры
38.23 x 25.07 x 9.6мм
серия
GigaMOS Trench HiperFET
типичная входная емкость при vds
4390 пФ при 25 В
типичное время задержки включения
47 ns
типичное время задержки выключения
115 ns
типичный заряд затвора при vgs
670 нКл при 10 В
тип канала
N
тип корпуса
SOT-227
тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
25.07 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26