IXFN36N100, N-Channel MOSFET, 36 A, 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXFN36N100
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IXFN36N100
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
MOSFETs N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™
Основные
Производитель
IXYS
Вес и габариты
число контактов
4
длина
38.23мм
Высота
9.6 мм
категория
Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис
1
максимальная рабочая температура
+150 °C
максимальное напряжение сток-исток
1000 V
максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности
700 Вт
максимальное сопротивление сток-исток
240 мΩ
максимальный непрерывный ток стока
36 A
материал транзистора
Кремний
maximum gate threshold voltage
5
минимальная рабочая температура
-55 °C
номер канала
Поднятие
размеры
38.23 x 25.42 x 9.6мм
серия
HiPerFET
типичная входная емкость при vds
9200 пФ при 25 В
типичное время задержки включения
41 нс
типичное время задержки выключения
110 нс
типичный заряд затвора при vgs
380 нКл при 10 В
тип канала
N
тип корпуса
SOT-227B
тип монтажа
Panel Mount
transistor configuration
Одинарный
вес, г
37
Ширина
25.42 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26