IXFH26N50P, N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N50P
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IXFH26N50P
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Основные
Производитель
IXYS
Вес и габариты
число контактов
3
длина
16.26мм
Высота
21.46 мм
категория
Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис
1
максимальная рабочая температура
+150 °C
максимальное напряжение сток-исток
500 V
максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности
400 Вт
максимальное сопротивление сток-исток
230 mΩ
максимальный непрерывный ток стока
26 А
материал транзистора
Кремний
maximum gate threshold voltage
5.5V
минимальная рабочая температура
-55 °C
номер канала
Поднятие
размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
серия
HiperFET, Polar
типичная входная емкость при vds
3600 pF@ 25 V
типичное время задержки включения
20 ns
типичное время задержки выключения
58 нс
типичный заряд затвора при vgs
60 nC @ 10 V
тип канала
N
тип корпуса
TO-247
тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
transistor configuration
Одинарный
Ширина
5.3 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26