IRF630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF630SPBF
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA
Основные
вес, г1
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
серияIRF
длина10.67 mm
pd - рассеивание мощности74 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки9 A
qg - заряд затвора43 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль