FQD3N60CTM-WS, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 2.4 А, 2.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:FQD3N60CTM-WS
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 600V 2.4A N-Channel Q-FET
Вес и габариты
длина
6.73 mm
другие названия товара №
FQD3N60CTM_WS
Высота
2.39 мм
id - непрерывный ток утечки
2.4 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
QFET
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
50 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
14 nC
размер фабричной упаковки
2500
rds вкл - сопротивление сток-исток
3.4 Ohms
серия
FQD3N60CTM_WS
технология
Si
типичное время задержки при включении
12 ns
типичное время задержки выключения
35 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок
TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
вес, г
0.5
vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
30 ns
время спада
35 ns
Ширина
6.22 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26