DMP3028LSD-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c6A
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c6A
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.7 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)1.3W
qg - заряд затвора22 nC
размер фабричной упаковки2500
rds on - drain-source resistance25mО© @ 7A,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток25 mOhms
серияDMP3028
технологияSi
типичное время задержки при включении9.7 ns
типичное время задержки выключения60.5 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 P-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarity2 P Channel(Double)
упаковка / блокSO-8
vds - drain-source breakdown voltage30V
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.074
vgs - gate-source voltage3V @ 250uA
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания17.1 ns
время спада40.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль