DMN100-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-Channel
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberDMN100 ->
channel modeEnhancement
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Channel
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberDMN100 ->
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.1A (Ta)
длина3.1 mm
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs5.5nC @ 10V
Высота 1.3 мм
hts8541.10.00.80
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки4 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds150pF @ 10V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current (a)1.1
maximum drain source resistance (mohm)150@10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)500
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package height1.3(Max)
package length3.1(Max)
package width1.7(Max)
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)500mW (Ta)
product categorySmall Signal
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs240mOhm @ 1A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDMN100
standard package nameSC
supplier device packageSC-59-3
supplier packageSC-59
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении10 ns
типичное время задержки выключения25 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
typical fall time (ns)45
typical gate charge @ 10v (nc)5.5
typical gate charge @ vgs (nc)5.5@10V
typical input capacitance @ vds (pf)150@10V
typical rise time (ns)15
typical turn-off delay time (ns)25
typical turn-on delay time (ns)10
упаковка / блокSC-59-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.013
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id3V @ 1mA
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания15 ns
время спада15 ns
Ширина1.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль