Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
Высота | 1.1 mm |
Высота | 1.1 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
Основные | |
base product number | BSS316 -> |
channel mode | Enhancement |
channel type | N |
configuration | Single |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.4A (Ta) |
длина | 2.9 mm |
drain to source voltage (vdss) | 30V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
другие названия товара № | BSS316N BSS316NH6327XT H6327 SP000928948 |
eccn | EAR99 |
factory pack quantity | 12000 |
fall time | 1 ns |
fet type | N-Channel |
forward transconductance - min | 2.3 S |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 0.6nC @ 5V |
height | 1.1 mm |
htsus | 8541.21.0095 |
id - continuous drain current | 1.4 A |
id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 94pF @ 15V |
канальный режим | Enhancement |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 2.3 S |
квалификация | AEC-Q101 |
length | 2.9 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
manufacturer | Infineon |
maximum continuous drain current | 1.4 A |
maximum drain source resistance | 280 mΩ |
maximum drain source voltage | 30 V |
maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
maximum gate threshold voltage | 2V |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 500 mW |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum gate threshold voltage | 1.2V |
minimum operating temperature | -55 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
number of channels | 1 Channel |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | SOT-23-3 |
package type | SOT-23 |
packaging | Reel |
партномер | 8013686571 |
part # aliases | BSS316N BSS316NH6327XT H6327 SP000928948 |
pd - power dissipation | 500 mW(1/2 W) |
pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
pin count | 3 |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
power dissipation (max) | 500mW (Ta) |
product category | MOSFET |
qg - gate charge | 600 pC |
qg - заряд затвора | 600 pC |
размер фабричной упаковки | 3000 |
rds on - drain-source resistance | 119 mOhms |
rds on (max) @ id, vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 119 mOhms |
reach status | REACH Unaffected |
rise time | 2.3 ns |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | BSS316 |
серия | BSS316 |
supplier device package | SOT-23-3 |
technology | Si |
технология | Si |
типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
типичное время задержки выключения | 5.8 ns |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 N-Channel |
торговая марка | Infineon Technologies |
transistor configuration | Single |
transistor material | Si |
transistor polarity | N-Channel |
transistor type | 1 N-Channel |
typical gate charge @ vgs | 0.6 nC @ 5 V |
typical turn-off delay time | 5.8 ns |
typical turn-on delay time | 3.4 ns |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
vds - drain-source breakdown voltage | 30 V |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
vgs - gate-source voltage | 20 V |
vgs (max) | В±20V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
vgs th - gate-source threshold voltage | 1.2 V |
vgs(th) (max) @ id | 2V @ 3.7ВµA |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
вид монтажа | SMD/SMT |
время нарастания | 2.3 ns |
время спада | 1 ns |
Время загрузки | 3:23:57 |
Ширина | 1.3 мм |
width | 1.3 mm |