BSC016N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSC016N03LSGATMA1
МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Вес и габариты
длина5.9 mm
другие названия товара №BSC016N03LS BSC16N3LSGXT G SP000237663
Высота 1.27 мм
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Вес и габариты
длина5.9 mm
другие названия товара №BSC016N03LS BSC16N3LSGXT G SP000237663
Высота 1.27 мм
id - непрерывный ток утечки100 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеOptiMOS
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.65 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности125 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора131 nC
размер фабричной упаковки5000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.3 mOhms
серияOptiMOS 3
технологияSi
типичное время задержки при включении13 ns
типичное время задержки выключения51 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокTDSON-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8.6 ns
время спада8.6 ns
Ширина5.15 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль