ZTX851STZ, TO-92 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZTX851STZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZTX851STZ, TO-92 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:150 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:5 A
dc collector/base gain hfe min:75
dc current gain hfe max:120
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Ammo Pack
партномер8020511581
pd - power dissipation:1.2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZTX851
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:03:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль