PHPT60415NYX, Bipolar Transistors - BJT PHPT60415NY/SOT669/LFPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHPT60415NYX
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15A NPN High Power Bipolar Transistor
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.0745 |
Информация о производителе | |
Производитель | Nexperia B.V. |
Бренд | Nexperia B.V. |
Основные | |
automotive | Yes |
configuration | Single Triple Emitter |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant with Exemption |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 410 at 500 mA, 2 V |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 500 mA, 2 V |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 175 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 30 A |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1@50mA@1A|1.35@1A@10A|1.5@1.5A|15A |
maximum collector base voltage | 40 V |
maximum collector base voltage (v) | 40 |
maximum collector cut-off current (na) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.04@50mA@1A|0.4@1A@10A|0.6@1.5A@15A |
maximum collector emitter voltage | 40 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 40 |
maximum dc collector current | 15 A |
maximum dc collector current (a) | 15 |
maximum emitter base voltage | 7 V |
maximum emitter base voltage (v) | 7 |
maximum operating frequency | 105 MHz |
maximum operating temperature | +175 °C |
maximum operating temperature (°c) | 175 |
maximum power dissipation | 25 W |
maximum power dissipation (mw) | 25000 |
maximum transition frequency (mhz) | 105(Typ) |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 250 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 40 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 40 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 420 mV |
непрерывный коллекторный ток | 15 A |
number of elements per chip | 1 |
package type | LFPAK56, SOT669 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8005277952 |
part status | Active |
pcb changed | 4 |
pd - рассеивание мощности | 25 W |
pin count | 4+Tab |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
ppap | Unknown |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 105 MHz |
размер фабричной упаковки | 1500 |
supplier package | LFPAK |
supplier temperature grade | Automotive |
tab | Tab |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Nexperia |
transistor configuration | Single |
transistor type | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | PowerSO-8 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:08:21 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26