Name: MJE180G, 40V 1.5W 50@100mA,1V 3A NPN TO2253 Bipolar Transistors BJT ROHS
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJE180G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE180G, 40V 1.5W 50@100mA,1V 3A NPN TO2253 ...

Подробное описание

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft	50МГц
collector- base voltage vcbo	60 V
collector-emitter saturation voltage	1.7 V
collector emitter voltage max	40В
collector- emitter voltage vceo max	40 V
configuration	Single
continuous collector current	3 A
dc collector/base gain hfe min	50
dc current gain hfe min	12hFE
dc усиление тока hfe	12hFE
emitter- base voltage vebo	7 V
factory pack quantity	500
gain bandwidth product ft	50 MHz
height	11.04 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	3вывод(-ов)
length	7.74 mm(Max)
максимальная рабочая температура	150°C
manufacturer	ON Semiconductor
maximum dc collector current	3 A
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-65 C
монтаж транзистора	Through Hole
mounting style	Through Hole
package / case	TO-225-3
packaging	Bulk
партномер	8010674804
pd - power dissipation	1.5 W
полярность транзистора	NPN
power dissipation	12.5Вт
product category	Bipolar Transistors-BJT
rohs	Details
series	MJE182
стиль корпуса транзистора	TO-225
transistor polarity	NPN
Время загрузки	2:06:08
width	2.66 mm(Max)

Отзывов нет

Кнопки

Теги: