JANTXV2N2907A, Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: JANTXV2N2907A
Биполярные транзисторы - BJT BJTs
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:175 at 1 mA, 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):40 at 1 mA, 10 VDC
740
+
Бонус: 14.8 !
Бонусная программа
Итого: 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT BJTs
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:175 at 1 mA, 10 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):40 at 1 mA, 10 VDC
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора:600 mA
минимальная рабочая температура:- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:400 mV
pd - рассеивание мощности:500 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:PNP
производитель:Microchip
размер фабричной упаковки:1
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Microchip Technology
упаковка:Bulk
упаковка / блок:TO-18-3
вид монтажа:Through Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль