FZT688BTA, Транзистор: NPN, биполярный, 12В, 4А, 3Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT688BTA
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Вес и габариты
base product numberFZT688 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)4A
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Вес и габариты
base product numberFZT688 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce400 @ 3A, 2V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
Высота 1.65 м
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток4 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT688
supplier device packageSOT-223
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 50mA, 4A
вес, г0.1
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)12V
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль