FZT651TA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT651TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А
Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.24 |
Высота | 1.65мм |
Информация о производителе | |
Производитель | DiodesZetex |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
Корпус | SOT-223 |
base product number | FZT651 -> |
число контактов | 3 + Tab |
collector- base voltage vcbo | 80 V |
collector-emitter breakdown voltage | 60V |
collector-emitter saturation voltage | 0.43 V |
collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 3 A |
current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 3A |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 500mA, 2V |
диапазон рабочих температур, ос | -55…150 |
длина | 6.55мм |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 1000 |
frequency - transition | 175MHz |
gain bandwidth product ft | 175 MHz |
height | 1.65 mm(Max) |
htsus | 8541.29.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество элементов на ис | 1 |
length | 6.7 mm(Max) |
максимальная рабочая частота | 175 МГц |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
manufacturer | Diodes Incorporated |
maximum collector base voltage | 80 V |
maximum collector emitter voltage | 60 V |
maximum dc collector current | 3A |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating frequency | 175 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 2 W |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
minimum dc current gain | 100 |
minimum operating temperature | -55 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
package / case | TO-261-4, TO-261AA |
package type | SOT-223(SC-73) |
packaging | Reel |
партномер | 8016803758 |
pd - power dissipation | 2W |
pin count | 3+Tab |
power - max | 2W |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
размеры | 1.65 x 6.55 x 3.55мм |
reach status | REACH Affected |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | FZT651 |
статический коэффициент передачи тока hfe мин | 100 |
supplier device package | SOT-223 |
тип корпуса | SOT-223 |
тип монтажа | Surface Mount |
тип транзистора | NPN |
transistor configuration | Одинарный |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
vce saturation (max) @ ib, ic | 600mV @ 300mA, 3A |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 60V |
Время загрузки | 22:07:06 |
Ширина | 3.55 мм |
width | 3.7 mm(Max) |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26