FZT651QTA, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT651QTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT651QTA, Транзистор: NPN
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft175МГц
dc усиление тока hfe40hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.43 V
непрерывный коллекторный ток3 A
партномер8017693522
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation3Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)175 MHz
размер фабричной упаковки1000
стиль корпуса транзистораSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:31:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль