BFU730F,115, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 2.8 В, 55 ГГц, 197 мВт, 5 мА, SOT-343F
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BFU730F,115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| configuration | Single Dual Emitter |
| длина | 2.2 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| Высота | 0.75 мм |
| hts | 8541.21.00.75 |
| категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 555 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 205 |
| material | SiGe |
| maximum 3rd order intercept point (dbm) | 29(Typ) |
| maximum collector base voltage (v) | 10 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter voltage range (v) | <20 |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 2.8 |
| maximum dc collector current (a) | 0.03 |
| maximum dc collector current range (a) | 0.001 to 0.06 |
| maximum emitter base voltage (v) | 1 |
| maximum noise figure (db) | 1.3(Typ) |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power 1db compression (dbm) | 12.5(Typ) |
| maximum power dissipation (mw) | 197 |
| maximum transition frequency (mhz) | 55000(Typ) |
| military | No |
| minimum dc current gain | 205@2mA@2V |
| minimum dc current gain range | 200 to 300 |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 1 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 10 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 2.8 V |
| непрерывный коллекторный ток | 5 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| operational bias conditions | 2.5V/20mA |
| package height | 0.75(Max) |
| package length | 2.2(Max) |
| package width | 1.35(Max) |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 197 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| рабочая частота | 55 GHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| standard package name | DFP |
| supplier package | DFP |
| tab | Tab |
| технология | SiGe |
| тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| тип транзистора | Bipolar |
| торговая марка | NXP Semiconductors |
| Тип | RF Silicon Germanium |
| type | NPN |
| typical input capacitance (pf) | 0.442 |
| typical output capacitance (pf) | 0.055 |
| typical power gain (db) | 29 |
| упаковка / блок | SOT343F-4 |
| вес, г | 4.54 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 1.35 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26