коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
15
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
2 A
maximum collector base voltage
100 V
maximum collector emitter voltage
115 V
maximum dc collector current
2 A
maximum emitter base voltage
5 V
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
30 W
минимальная рабочая температура
65 C
minimum dc current gain
40
mounting type
Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
700 mV
непрерывный коллекторный ток
2 A
number of elements per chip
1
package type
TO-220
партномер
8004832876
pd - рассеивание мощности
30 W
pin count
3
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
размер фабричной упаковки
1000
серия
BD239C
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-220-3
вид монтажа
Through Hole
Время загрузки
2:03:36
Ширина
4.7 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26