BCX56.115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Производитель: Nexperia Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT RoHS: Подробности Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SOT-89-3 Полярность транзистора: NPN Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A Pd - рассеивание мощности: 1250 mW Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 180 MHz Минимальная рабочая температура: - 65 C...
Вес и габариты
base product numberBCX56 ->
Корпус
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Производитель: Nexperia Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT RoHS: Подробности Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: SOT-89-3 Полярность транзистора: NPN Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A Pd - рассеивание мощности: 1250 mW Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 180 MHz Минимальная рабочая температура: - 65 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Квалификация: AEC-Q101 Упаковка: Cut Tape Упаковка: MouseReel Упаковка: Reel Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 63 at 5 mA, 2 V Высота: 1.6 mm Длина: 4.6 mm Технология: Si Ширина: 2.6 mm Торговая марка: Nexperia Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 63 Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors Подкатегория: Transistors Другие названия товара №: 933272330115 Вес изделия: 130.500 mg
Вес и габариты
base product numberBCX56 ->
Корпус
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce63 @ 150mA, 2V
длина4.6 mm
другие названия товара №933272330115
eccnEAR99
frequency - transition180MHz
Высота 1.6 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.63 at 5 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63
конфигурацияSingle
конфигурация:Single
квалификацияAEC-Q101
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальная рассеиваемая мощность ,вт1250 mW
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-база (vcbo):100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:80 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
pd - рассеивание мощности1250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
полярность транзистора:NPN
power - max1.25W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):180 MHz
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
рабочая температура:- 65 C + 150 C
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вес, г0.131
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль