Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.05 |
Высота | 0.94 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
collector- base voltage vcbo | 50 V |
collector-emitter saturation voltage | 0.21 V |
collector- emitter voltage vceo max | 45 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 0.1 A |
dc collector/base gain hfe min | 200 |
длина | 2.9 mm |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity | 3000 |
gain bandwidth product ft | 300 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
конфигурация | Single |
lead shape | Gull-wing |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
manufacturer | ON Semiconductor |
material | Si |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.85(Typ)@2.5mA@50mA |
maximum collector base voltage | 50 V |
maximum collector base voltage (v) | 50 |
maximum collector cut-off current (na) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA |
maximum collector emitter voltage | 45 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
maximum dc collector current | 0.1 A |
maximum dc collector current (a) | 0.1 |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating frequency | 300 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 225 mW |
maximum power dissipation (mw) | 300 |
maximum transition frequency (mhz) | 300(Typ) |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 200@2mA@5V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.21 V |
непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
number of elements per chip | 1 |
package / case | SOT-23-3 |
package type | SOT-23 |
packaging | Reel |
партномер | 8002979110 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 225 mW |
pd - рассеивание мощности | 225 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
ppap | No |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
rohs | Details |
series | BCW72L |
серия | BCW72L |
standard package name | SOT |
subcategory | Transistors |
supplier package | SOT-23 |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:37:56 |
Ширина | 1.3 мм |