BCV61CE6327HTSA1, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCV61CE6327HTSA1
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Вес и габариты
applicationsCurrent Mirror
base product numberBCV61 ->
current rating (amps)100mA
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Вес и габариты
applicationsCurrent Mirror
base product numberBCV61 ->
current rating (amps)100mA
другие названия товара №BCV 61C E6327 SP000010887
eccnEAR99
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.800
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-253-4, TO-253AA
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCV61
supplier device packagePG-SOT143-4
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
transistor type2 NPN, Base Collector Junction
упаковка / блокSOT-143-4
вид монтажаSMD/SMT
voltage - rated30V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль