BCR185E6327, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 0,2Вт, SOT23, R1: 10кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCR185E6327
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BCR185E6327, Транзистор: PNP, биполярный ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
26
+
Бонус: 0.52 !
Бонусная программа
Итого: 26
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMDЦифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 10 кОм+47 кОм
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
automotiveYes
base-emitter resistor47кОм
categoryDiscrete Semiconductor Products
частота200МГц
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 5mA, 5V
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
familyTransistors(BJT)-Single, Pre-Biased
frequency - transition200MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@0.5mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
minimum dc current gain70@5mA@5V
minimum operating temperature (°c)-65
монтажSMD
мощность200мВт
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер50В
other namesBCR 185 E6327DKR BCR 185 E6327DKR-ND
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingDigi-Reel®
партномер8002651558
part statusLTB
pcb changed3
pcn packagingCarrier Tape Update 03/Jun/2015
pin count3
полярностьбиполярный
power - max200mW
ppapUnknown
series-
standard package1
standard package nameSOT
supplier device packagePG-SOT23-3
supplier packageSOT-23
тип транзистораPNP
ток коллектора100мА
transistor typePNP-Pre-Biased
typePNP
typical current gain bandwidth (mhz)200
typical input resistor (kohm)10
typical resistor ratio0.21
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500µA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки3:22:12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль