BC846BMB,315

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 65V NPN 100mA 250mW
Вес и габариты
другие названия товара №934066134315
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
89
+
Бонус: 1.78 !
Бонусная программа
Итого: 89
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 65V NPN 100mA 250mW
Вес и габариты
другие названия товара №934066134315
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage65 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage65 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain200
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер90 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
number of elements per chip1
package typeDFN1006B, SOT-883B
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки10000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокDFN1006B-3
вес, г0.0006
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль