коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
450
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
maximum collector base voltage
80 V
maximum collector emitter voltage
65 V
maximum dc collector current
100 mA
maximum emitter base voltage
65 V
maximum operating temperature
+150 C
maximum power dissipation
250 mW
минимальная рабочая температура
65 C
minimum dc current gain
200
mounting type
Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
65 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
90 mV
непрерывный коллекторный ток
100 mA
number of elements per chip
1
package type
DFN1006B, SOT-883B
pd - рассеивание мощности
250 mW
pin count
3
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
100 MHz
размер фабричной упаковки
10000
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Nexperia
transistor configuration
Single
transistor type
NPN
упаковка / блок
DFN1006B-3
вес, г
0.0006
вид монтажа
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26