2SB1260T100R, Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SB1260T100R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SB1260T100R, Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter breakdown voltage80V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:-1 A
dc collector/base gain hfe min:82
dc current gain hfe max:390
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:ROHM Semiconductor
maximum dc collector current1A
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8004725555
pd - power dissipation2W
pd - power dissipation:2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2SB1260
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки1:49:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль