2SA2210-1E, Bipolar Transistors - BJT Bip Transistor -50V -20A PNP TO-220F-3SG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA2210-1E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA2210-1E, Bipolar Transistors - BJT Bip ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г4.536
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
600
+
Бонус: 12 !
Бонусная программа
Итого: 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г4.536
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft140МГц
collector emitter voltage max50В
continuous collector current20А
dc current gain hfe min150hFE
dc усиление тока hfe150hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum dc collector current-20 A
maximum emitter base voltage-6 V
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation30 W
minimum dc current gain150
монтаж транзистораThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package typeTO-220F
партномер8005368322
pin count3
полярность транзистораPNP
power dissipation30Вт
стиль корпуса транзистораSC-67
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки0:53:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль