2SA1962RTU, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA1962RTU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA1962RTU, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.401
Высота19.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
1 340
+
Бонус: 26.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Silicon
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.401
Высота19.9 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина15.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)55 at 1 A at 5 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора17 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)230 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.230 V
непрерывный коллекторный ток15 A
партномер8004832391
pd - рассеивание мощности130000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)30 MHz
размер фабричной упаковки450
серия2SA1962
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:54:22
Ширина4.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль