2N3906BU, 2N3906 PNP Transistor, -200 mA, -40 V, 3-Pin TO-92
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3906BU
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 5.33мм |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
число контактов | 3 |
collector- base voltage vcbo | 40 V |
collector- base voltage vcbo: | 40 V |
collector-emitter saturation voltage: | 400 mV |
collector- emitter voltage vceo max | 40 V |
collector- emitter voltage vceo max: | 40 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
dc current gain hfe max | 300 |
dc current gain hfe max: | 300 |
длина | 5.2мм |
emitter- base voltage vebo | -5 V |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
factory pack quantity | 1000 |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 10000 |
gain bandwidth product ft | 250 MHz |
gain bandwidth product ft: | 250 MHz |
height | 4.7 mm |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество элементов на ис | 1 |
length | 4.7 mm |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
максимальное напряжение коллектор-база | -40 V |
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 40 V |
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -0,95 В |
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 V |
максимальное рассеяние мощности | 0.625 W |
максимальный пост. ток коллектора | 200 mA |
manufacturer | ON Semiconductor |
manufacturer: | onsemi |
maximum collector base voltage | -40 V |
maximum collector emitter voltage | 40 V |
maximum dc collector current | 200 mA |
maximum dc collector current: | 200 mA |
maximum emitter base voltage | -5 V |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum power dissipation | 625 mW |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature: | -55 C |
mounting style | Through Hole |
mounting style: | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
number of elements per chip | 1 |
package / case | TO-92-3 |
package/case: | TO-92-3 |
package type | TO-92 |
packaging | Bulk |
packaging: | Bulk |
партномер | 8014471929 |
part # aliases | 2N3906BU_NL |
part # aliases: | 2N3906BU_NL |
pd - power dissipation | 625 mW |
pd - power dissipation: | 625 mW |
pin count | 3 |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
размеры | 5.2 x 4.19 x 5.33мм |
rohs | Details |
series | 2N3906 |
series: | 2N3906 |
subcategory: | Transistors |
technology: | Si |
тип корпуса | TO-92 |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
тип транзистора | PNP |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | PNP |
transistor polarity: | PNP |
transistor type | PNP |
unit weight | 0.006314 oz |
Время загрузки | 0:26:01 |
Ширина | 4.19 мм |
width | 3.93 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26