2N3507, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3507
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N3507, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
7 440
+
Бонус: 148.8 !
Бонусная программа
Итого: 7 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.175 at 500 mA at 1 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)35 at 500 mA at 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
партномер8004809123
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки1
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-39-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:23:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль