2N3019, Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N3019
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5
Вес и габариты
base product number2N3019 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
13 220
+
Бонус: 264.4 !
Бонусная программа
Итого: 13 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5
Вес и габариты
base product number2N3019 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 500mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):15
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+200 c
минимальная рабочая температура:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo):7 V
напряжение коллектор-база (vcbo):140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.5 v
непрерывный коллекторный ток:1 A
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
pd - рассеивание мощности:5 W
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
power - max800mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):100 MHz
производитель:Microchip
размер фабричной упаковки:1
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageTO-5
технология:Si
тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
торговая марка:Microchip Technology
transistor typeNPN
упаковка:Bulk
упаковка / блок:TO-5-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажа:Through Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль