IXBT2N250, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 2,5кВ, 2А, 32Вт, TO268

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXBT2N250
IXBT2N250, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 2,5кВ, 2А, 32Вт, TO268
Основные
вес, г5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
3 200
+
Бонус: 64 !
Бонусная программа
Итого: 3 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMDIGBT 2500V 5A 32W Surface Mount TO-268
Основные
вес, г5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-268
california prop 65Warning Information
seriesBIMOSFETв„ў ->
input typeStandard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)5A
current - collector pulsed (icm)13A
gate charge10.6nC
power - max32W
vce(on) (max) @ vge, ic3.5V @ 15V, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)2500V
reverse recovery time (trr)920ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль