IHW20N120R5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IHW20N120R5
Основные
вес, г6
package / caseTO-247-3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
950
+
Бонус: 19 !
Бонусная программа
Итого: 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Основные
вес, г6
package / caseTO-247-3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияRC
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
minimum operating temperature-40 C
factory pack quantity240
manufacturerInfineon
maximum operating temperature+175 C
mounting styleThrough Hole
packagingTube
product categoryIGBT Transistors
product typeIGBT Transistors
seriesRC
subcategoryIGBTs
pd - рассеивание мощности288 W
другие названия товара №SP001150026 IHW20N120R5XKSA1
configurationSingle
Вес и габариты
tradenameTRENCHSTOP
технологияSi
конфигурацияSingle
part # aliasesIHW20N120R5XKSA1 SP001150026
technologySi
pd - power dissipation288 W
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.55 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c40 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
maximum gate emitter voltage20 V
collector- emitter voltage vceo max1200 V
collector-emitter saturation voltage1.55 V
continuous collector current at 25 c40 A
gate-emitter leakage current100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль