FP15R06W1E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FP15R06W1E3
Основные
вес, г24
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
8 910
+
Бонус: 178.2 !
Бонусная программа
Итого: 8 910
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A
Основные
вес, г24
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки24
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокEASY1B
длина62.8 mm
pd - рассеивание мощности81 W
другие названия товара №FP15R06W1E3BOMA1 SP000092046
Вес и габариты
конфигурацияArray 7
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c22 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Высота 12 мм
Ширина33.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль